红外激光退火，采用红外波段激光器（近红外 800‑1070nm、远红外 CO₂ 9.3‑10.6μm），以红外光子能量被材料吸收，实现毫秒级局部快速热处理；只加热表层微米‑几十微米薄层，基体保持低温，热预算极低，区别于灯管式红外 RTP 快速热退火、传统炉退火。
红外激光照射工件表面，光能转为热能，表层瞬间升到退火温度，衬底基体充当天然散热器，实现极速自冷却（冷却速率可达 10³‑10⁶℃/s）。
实现效果：
1）修复离子注入带来的晶格损伤；
2）激活掺杂杂质，形成超浅 PN 结；
3）非晶薄膜再结晶；
4）消除表层残余应力；
5）形成硅化物、欧姆接触。
加热时间：微秒～毫秒级，远远短于炉管（分钟‑小时）、RTP 快速退火（秒级）；热量几乎不向深层扩散，保护底层器件、金属层不被高温破坏。
常用红外光源
1. 近红外半导体 / 光纤激光（808nm、1030‑1070nm）：硅吸收好，光斑易整形，多用于扫描式选区退火；
2. 远红外 CO₂激光（9.3/10.6μm）：对陶瓷、SiC、氧化层吸收好，长波段衍射效应小，光斑均匀性好，晶圆量产常用。
⚠️区分概念
- 红外激光退火：红外波段激光，定向光束，局部选区，毫秒‑微秒；
- RTP 快速热退火：卤素红外灯，整片辐射加热，秒级，整片晶圆升温，热预算更高。
